3D NAND这个新领域需要异常严谨的探索过程,不过一旦入门后,第二步就是尽可能地降低成本,来做到利益最大化。三星推出的第二代3D V-NAND。在依然使用40nm制程的情况下,Die尺寸缩小接近1/4,但层数从24提高到32,而容量反而降低到86Gbit。怎么第二代在物理指标与前代接近的情况下,容量反而下降了?难道是三星良心发现,转做小而精了?当然不是,据我了解,这可能是直接把原本的TLC颗粒模拟成MLC使用,使得原本128Gbit的TLC颗粒缩水了1/3的容量,变成了86Gbit的MLC颗粒。”